Далее рассматриваем только однополярный набор слоев. Исходным для расчета звена является заданное значение волнового сопротивления Z, Ом, линий передачи, которое должно быть одинаковым для всех линий в пределах платы. Расстояние между сигнальным и потенциальным слоями можно изменять за счет числа прокладок в конструкции звена, и его значение можно рассчитать по формуле.
Таким образом, если ширина проводников выдержана на минимальных технологических нормах, то единственным средством управления волновым сопротивлением в звене СЕ при заданном материале основания является число прокладок. Сигнальные проводники на соответствующих слоях располагаются ортогонально, что снижает взаимные электрические параметры между линиями.
При этом взаимная емкость сводится к минимуму, а взаимная индуктивность практически равна нулю. Малое значение взаимной емкости между линиями в сигнальных слоях позволяет представить исходное звено ССЕ в виде двух независимых более простых звеньев С(х)Е и С(у)Е. Условные обозначения в скобках показывают ориентировку сигнальных проводников на слое. Расчет этих звеньев ведется так же, как и ранее рассмотренного звена СЕ, с некоторыми особенностями, которые показаны ниже.
В данном звене определяющим размером, от которого при заданной ширине проводника зависит волновое сопротивление, является расстояние между экранирующими плоскостями. Относительно небольшая асимметрия центрального проводника практически не влияет на значение волнового сопротивления. Симметричность можно улучшить, перераспределяя прокладки в зазорах.
Суть проектирования звена остается неизменной: через заданное волновое сопротивление определяется расстояние между потенциальными слоями, а затем, зная толщины применяемых слоев диэлектрических и материалов, рассчитывают необходимое число прокладок. Если на сигнальных слоях сигнальные проводники расположены ортогонально, то исходное звено может быть представлено в виде двух независимых более простых звеньев ЕС(х)Е и ЕСООЕ. Эти звенья рассчитываются аналогично рассмотренному выше звену ЕСЕ.
